casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR
Número da peça de fabricante | MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 512Gb (64G x 8) |
Freqüência do relógio | 100MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR-FT |
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAHC:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel