casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F512G08CKECBH7-12:C
Número da peça de fabricante | MT29F512G08CKECBH7-12:C |
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Número da peça futura | FT-MT29F512G08CKECBH7-12:C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F512G08CKECBH7-12:C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 512Gb (64G x 8) |
Freqüência do relógio | 83MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CKECBH7-12:C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F512G08CKECBH7-12:C-FT |
MT29F4G01ADAGDSF-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-E:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-AT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-AT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-E:D
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel