casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR
Número da peça de fabricante | MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 512Gb (64G x 8) |
Freqüência do relógio | 166MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR-FT |
MT29F4G01ABBFD12-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDSF-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDSF-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-E:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel