casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F32G08ABEDBJ4-12:D
Número da peça de fabricante | MT29F32G08ABEDBJ4-12:D |
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Número da peça futura | FT-MT29F32G08ABEDBJ4-12:D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F32G08ABEDBJ4-12:D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 32Gb (4G x 8) |
Freqüência do relógio | 83MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F32G08ABEDBJ4-12:D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F32G08ABEDBJ4-12:D-FT |
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMEDBJ5-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMEDBJ5-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel