casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F2G08ABBEAH4:E TR
Número da peça de fabricante | MT29F2G08ABBEAH4:E TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-MT29F2G08ABBEAH4:E TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F2G08ABBEAH4:E TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 2Gb (256M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABBEAH4:E TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F2G08ABBEAH4:E TR-FT |
MT29F256G08CECBBH6-6ITR:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECBBH6-6R:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6C:C
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6R:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E TR
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel