casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR
Número da peça de fabricante | MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 256Gb (32G x 8) |
Freqüência do relógio | 100MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR-FT |
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECCBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel