casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR
Número da peça de fabricante | MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 1Gb (128M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR-FT |
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CECGBJ4-37ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CECGBJ4-37R:G
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CECGBJ4-37R:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CECGBJ4-5M:G
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CEEDBJ4-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CEHGBJ4-3R:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel