casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR

| Número da peça de fabricante | MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de memória | Non-Volatile |
| Formato de memória | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Tamanho da memória | 1Gb (128M x 8) |
| Freqüência do relógio | - |
| Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
| Tempo de acesso | - |
| Interface de memória | Parallel |
| Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 63-VFBGA |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-VFBGA (9x11) |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR-FT |

EDB8164B4PK-1D-F-D
Micron Technology Inc.

EDB8164B4PK-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.

EDB8164B4PR-1D-F-D
Micron Technology Inc.

EDB8164B4PR-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.

EDB8164B4PT-1D-F-D
Micron Technology Inc.

EDB8164B4PT-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.

EDB8164B4PT-1DAT-F-D
Micron Technology Inc.

EDB8164B4PT-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.

EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR
Micron Technology Inc.

EDFA364A3PM-GD-F-D
Micron Technology Inc.

LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation

A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation

LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation

5SGXEA7K3F40C2L
Intel

10M08SAU169I7G
Intel

XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.

XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.

LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation

EP20K160EBC356-1
Intel