casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR
Número da peça de fabricante | MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 1Gb (128M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TSOP I |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR-FT |
M29W400DB70N6T TR
Micron Technology Inc.
M29W400DT55N6
Micron Technology Inc.
M29W400DT55N6E
Micron Technology Inc.
M29W400DT55N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DT70N1
Micron Technology Inc.
M29W400DT70N6E
Micron Technology Inc.
M29W400DT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400FB55N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W640FB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640FT70N6E
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel