casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR
Número da peça de fabricante | MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 128Gb (16G x 8) |
Freqüência do relógio | 267MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR-FT |
MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CECBBH6-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel