casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29E2T08CTCCBJ7-6:C
Número da peça de fabricante | MT29E2T08CTCCBJ7-6:C |
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Número da peça futura | FT-MT29E2T08CTCCBJ7-6:C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 2Tb (256G x 8) |
Freqüência do relógio | 167MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29E2T08CTCCBJ7-6:C-FT |
MT53D512M64D4SB-046 XT:E
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E1G32D4NQ-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E1G32D4NQ-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E2G32D8QD-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E2G32D8QD-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E512M32D2NP-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E512M64D4NW-053 WT:E
Micron Technology Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel