casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR
Número da peça de fabricante | MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR |
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Número da peça futura | FT-MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 2Tb (256G x 8) |
Freqüência do relógio | 167MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR-FT |
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E1G32D4NQ-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E1G32D4NQ-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E2G32D8QD-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E2G32D8QD-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E512M32D2NP-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E512M64D4NW-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E512M64D4NW-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel