casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT25TL512BBA8ESF-0AAT
Número da peça de fabricante | MT25TL512BBA8ESF-0AAT |
---|---|
Número da peça futura | FT-MT25TL512BBA8ESF-0AAT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
MT25TL512BBA8ESF-0AAT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 512Mb (64M x 8) |
Freqüência do relógio | 133MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 8ms, 2.8ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 16-SOP2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25TL512BBA8ESF-0AAT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT25TL512BBA8ESF-0AAT-FT |
M58WR032KL70ZA6E
Micron Technology Inc.
M58WR032KL70ZA6U TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KT70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KU70D16 TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KU70ZA6U TR
Micron Technology Inc.
M58WR064ET70ZB6T
STMicroelectronics
M58WR064KB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR064KB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR064KB7AZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR064KB7AZB6F TR
Micron Technology Inc.
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
EP4S100G2F40I1N
Intel
5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel