casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT25TL01GBBB8ESF-0AAT
Número da peça de fabricante | MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
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Número da peça futura | FT-MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 1Gb (128M x 8) |
Freqüência do relógio | 133MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 8ms, 2.8ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 16-SOP2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT25TL01GBBB8ESF-0AAT-FT |
M58LT256KSB7ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT256KSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT256KSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT256KST7ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT256KST7ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT256KST8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT256KST8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6W TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel