casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT25QU02GCBB8E12-0AAT
Número da peça de fabricante | MT25QU02GCBB8E12-0AAT |
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Número da peça futura | FT-MT25QU02GCBB8E12-0AAT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
MT25QU02GCBB8E12-0AAT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 2Gb (256M x 8) |
Freqüência do relógio | 133MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 8ms, 2.8ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 2V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 24-TBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 24-T-PBGA (6x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QU02GCBB8E12-0AAT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT25QU02GCBB8E12-0AAT-FT |
MT53B384M64D4NK-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4NY-046 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M16D1Z11MWC2
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MTA36ASF4G72PZ-2G9E2
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel