casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR
Número da peça de fabricante | MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR |
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Número da peça futura | FT-MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 2Gb (256M x 8) |
Freqüência do relógio | 133MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 8ms, 2.8ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 2V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 24-TBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 24-T-PBGA (6x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR-FT |
MT53B384M64D4NK-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4NY-046 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M16D1Z11MWC2
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MTA36ASF4G72PZ-2G9E2
Micron Technology Inc.
MTA4ATF51264AZ-2G6E1
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel