Número da peça de fabricante | MSG109 |
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Número da peça futura | FT-MSG109 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MSG109 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSG109 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MSG109-FT |
APT60D100BG
Microsemi Corporation
APT30DQ120BG
Microsemi Corporation
APT60DQ60BG
Microsemi Corporation
MSC015SDA120B
Microsemi Corporation
APT60D120BG
Microsemi Corporation
APT30D120BG
Microsemi Corporation
APT60DQ100BG
Microsemi Corporation
APT75DQ120BG
Microsemi Corporation
MSC010SDA120B
Microsemi Corporation
APT30D30BG
Microsemi Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel