casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / MSDM50-18
Número da peça de fabricante | MSDM50-18 |
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Número da peça futura | FT-MSDM50-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MSDM50-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1.8kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 50A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 150A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 300µA @ 1800V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | M2-1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSDM50-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MSDM50-18-FT |
KBU1002G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1003G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1004G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1005G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1006G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1007G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU401G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU402G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU403G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU404G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
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EP2SGX60DF780C3N
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