casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / MSDM200-12
Número da peça de fabricante | MSDM200-12 |
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Número da peça futura | FT-MSDM200-12 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MSDM200-12 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1.2kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 200A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.45V @ 200A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 1200V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | M3-1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | M3-1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSDM200-12 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MSDM200-12-FT |
KBPM304G
GeneSiC Semiconductor
KBPM306G
GeneSiC Semiconductor
KBPM308G
GeneSiC Semiconductor
KBPM310G
GeneSiC Semiconductor
KBU1001G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1002G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1003G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1004G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1005G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1006G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K50ETC144-2
Intel
XC3S2000-4FG456I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFI484-2
Intel
XC7K410T-1FF900C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45E2LG
Intel
EP20K1000EBC652-1X
Intel