casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MSCD165-12
Número da peça de fabricante | MSCD165-12 |
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Número da peça futura | FT-MSCD165-12 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MSCD165-12 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Series Connection |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 165A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 300A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 9mA @ 1200V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | D2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SD2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSCD165-12 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MSCD165-12-FT |
APT2X101DQ60J
Microsemi Corporation
APT2X30D120J
Microsemi Corporation
APT2X31DQ60J
Microsemi Corporation
APT2X100D60J
Microsemi Corporation
APT2X51DC120J
Microsemi Corporation
APT2X31DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X31D60J
Microsemi Corporation
APT2X100DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X101DL40J
Microsemi Corporation
APT2X30DQ120J
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel