casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MSAD120-18
Número da peça de fabricante | MSAD120-18 |
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Número da peça futura | FT-MSAD120-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MSAD120-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1800V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 120A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.43V @ 300A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 6mA @ 1800V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | D1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSAD120-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MSAD120-18-FT |
MBRB30H50CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H60CT-1H
ON Semiconductor
MBRB30H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB41H100CT-1H
ON Semiconductor
MBRD640CTT4H
ON Semiconductor
MBRD660CTT4H
ON Semiconductor
MBRF10100CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10150CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
Intel
5CGXBC3B6U15C7N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel