casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MSA1162GT1G
Número da peça de fabricante | MSA1162GT1G |
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Número da peça futura | FT-MSA1162GT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MSA1162GT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Potência - Max | 200mW |
Freqüência - Transição | 80MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-59 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSA1162GT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MSA1162GT1G-FT |
NSVBC848CLT1G
ON Semiconductor
BC807-40LT3G
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MMBTA13LT3G
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LCMXO2-2000HE-5TG144C
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XA3S1600E-4FGG484I
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EP3SE50F484C2
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EP4CE6E22C8N
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LFE2-50E-5F672I
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LCMXO2280E-4FTN324I
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5AGXMB3G6F35C6N
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EP4CE30F29I7N
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