casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MR2A16AYS35R
Número da peça de fabricante | MR2A16AYS35R |
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Número da peça futura | FT-MR2A16AYS35R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MR2A16AYS35R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | RAM |
Tecnologia | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamanho da memória | 4Mb (256K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 35ns |
Tempo de acesso | 35ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 44-TSOP2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR2A16AYS35R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MR2A16AYS35R-FT |
IDT71024S12TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel