casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MR25H10CDF
Número da peça de fabricante | MR25H10CDF |
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Número da peça futura | FT-MR25H10CDF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MR25H10CDF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | RAM |
Tecnologia | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamanho da memória | 1Mb (128K x 8) |
Freqüência do relógio | 40MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR25H10CDF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MR25H10CDF-FT |
W25Q16DVZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q16DVZPIQ
Winbond Electronics
W25Q16DVZPIQ TR
Winbond Electronics
W25Q16DWZPIG
Winbond Electronics
W25Q16DWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q20CLZPIG
Winbond Electronics
W25Q20EWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEIF
Winbond Electronics
W25Q256FVEIF TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEIG
Winbond Electronics
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel