casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / MR106350R00BAE66
Número da peça de fabricante | MR106350R00BAE66 |
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Número da peça futura | FT-MR106350R00BAE66 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MR100 |
MR106350R00BAE66 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 350 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Wirewound |
Características | - |
Coeficiente de temperatura | ±10ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 145°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.250" Dia x 0.500" L (6.35mm x 12.70mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR106350R00BAE66 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MR106350R00BAE66-FT |
13FPR070E
Ohmite
13FPR075E
Ohmite
13FPR080E
Ohmite
13FPR090E
Ohmite
12FR010E
Ohmite
12FR050E
Ohmite
12FR025E
Ohmite
12FR015E
Ohmite
12FR005E
Ohmite
12FR040E
Ohmite
XC6SLX150-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC3S200-4VQ100I
Xilinx Inc.
AFS1500-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000L-FGG484M
Microsemi Corporation
A3P400-PQG208
Microsemi Corporation
XC7A15T-1CSG324C
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I2SG
Intel
EP2SGX60DF780C5
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP1C4F400C7N
Intel