casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / MR102100R00AAE66
Número da peça de fabricante | MR102100R00AAE66 |
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Número da peça futura | FT-MR102100R00AAE66 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MR100 |
MR102100R00AAE66 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 100 Ohms |
Tolerância | ±0.05% |
Potência (Watts) | 0.175W |
Composição | Wirewound |
Características | - |
Coeficiente de temperatura | ±10ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 145°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.187" Dia x 0.375" L (4.75mm x 9.52mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR102100R00AAE66 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MR102100R00AAE66-FT |
12FR010
Ohmite
12FR015
Ohmite
12FR020E
Ohmite
12FR030
Ohmite
12FR030E
Ohmite
12FR050
Ohmite
12FR070
Ohmite
12FR100
Ohmite
12FR020
Ohmite
12FR025
Ohmite
A1010B-2PQ100C
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152I
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQI
Microchip Technology
XC7VX485T-2FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FFG1154C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40E3LG
Intel
10AX115S4F45E3LG
Intel
EP2AGX65DF29C6N
Intel
5CEBA4U15C8N
Intel