casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MPSH10G
Número da peça de fabricante | MPSH10G |
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Número da peça futura | FT-MPSH10G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MPSH10G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 25V |
Freqüência - Transição | 650MHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | - |
Potência - Max | 350mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MPSH10G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MPSH10G-FT |
CPH6003A-TL-E
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10AX115N4F45E3SG
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