casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / MOX91021004FVE
Número da peça de fabricante | MOX91021004FVE |
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Número da peça futura | FT-MOX91021004FVE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Super-Mox |
MOX91021004FVE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 1 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 3.8W |
Composição | Metal Oxide Film |
Características | High Voltage, Moisture Resistant, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 225°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.315" Dia x 1.063" L (8.00mm x 27.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX91021004FVE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MOX91021004FVE-FT |
OA564K
Ohmite
OA564KE
Ohmite
OA560K
Ohmite
OA560KE
Ohmite
OA47GK
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OA474K
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OA473K
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XC3S400-5FG320C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
A40MX04-2PL44I
Microsemi Corporation
XCKU040-3SFVA784E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F31C5N
Intel
EP20K60EQC208-2N
Intel