casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / MOX-4N-131006FE
Número da peça de fabricante | MOX-4N-131006FE |
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Número da peça futura | FT-MOX-4N-131006FE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Maxi-Mox |
MOX-4N-131006FE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 100 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 5W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 210°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.345" Dia x 4.140" L (8.76mm x 105.16mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-4N-131006FE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MOX-4N-131006FE-FT |
OA270KE
Ohmite
OA22GK
Ohmite
OA22GKE
Ohmite
OA224KE
Ohmite
OA223K
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OA222KE
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OA221K
Ohmite
OA221KE
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OA220K
Ohmite
EP1K50TC144-1
Intel
LFXP3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FGG256M
Microsemi Corporation
AX250-1FG256
Microsemi Corporation
M1AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
AGL125V2-FG144T
Microsemi Corporation
10AX032E2F27I1SG
Intel