casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / MOX-4N-131005FE
Número da peça de fabricante | MOX-4N-131005FE |
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Número da peça futura | FT-MOX-4N-131005FE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Maxi-Mox |
MOX-4N-131005FE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 10 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 5W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 210°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.345" Dia x 4.140" L (8.76mm x 105.16mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-4N-131005FE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MOX-4N-131005FE-FT |
OA270K
Ohmite
OA270KE
Ohmite
OA22GK
Ohmite
OA22GKE
Ohmite
OA224KE
Ohmite
OA223K
Ohmite
OA223KE
Ohmite
OA222KE
Ohmite
OA221K
Ohmite
OA221KE
Ohmite
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484I
Microsemi Corporation
APA450-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FF784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP1AGX20CF780I6
Intel