casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / MOX-3N-131007JE
Número da peça de fabricante | MOX-3N-131007JE |
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Número da peça futura | FT-MOX-3N-131007JE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Maxi-Mox |
MOX-3N-131007JE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 1 GOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 4W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 210°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.345" Dia x 3.140" L (8.76mm x 79.76mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-3N-131007JE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MOX-3N-131007JE-FT |
OA153K
Ohmite
OA153KE
Ohmite
OA152K
Ohmite
OA152KE
Ohmite
OA151K
Ohmite
OA151KE
Ohmite
OA150KE
Ohmite
OA124KE
Ohmite
OA123K
Ohmite
OA123KE
Ohmite
A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60ETC144-3N
Intel
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
10M40DAF484I6G
Intel
10M25DAF256C8G
Intel
5SGXEA3K2F40I3L
Intel
5SGXEA4H1F35C2L
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3SGE2
Intel