casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / MOX-3N-131006FE
Número da peça de fabricante | MOX-3N-131006FE |
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Número da peça futura | FT-MOX-3N-131006FE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Maxi-Mox |
MOX-3N-131006FE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 100 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 4W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 210°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.345" Dia x 3.140" L (8.76mm x 79.76mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-3N-131006FE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MOX-3N-131006FE-FT |
OA180KE
Ohmite
OA153K
Ohmite
OA153KE
Ohmite
OA152K
Ohmite
OA152KE
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OA151KE
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OA150KE
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OA124KE
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OA123K
Ohmite
XCV1000E-7FG900I
Xilinx Inc.
A1020B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP3CLS150F484I7N
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EP3C40F780C8N
Intel
EP2S130F780C4N
Intel
EP20K60EQC208-3N
Intel