casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / MOX-3N-131005FE

| Número da peça de fabricante | MOX-3N-131005FE |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-MOX-3N-131005FE |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Maxi-Mox |
| MOX-3N-131005FE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Resistência | 10 MOhms |
| Tolerância | ±1% |
| Potência (Watts) | 4W |
| Composição | Thick Film |
| Características | High Voltage, Non-Inductive |
| Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 210°C |
| Pacote / caso | Axial |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
| Tamanho / dimensão | 0.345" Dia x 3.140" L (8.76mm x 79.76mm) |
| Altura - Sentado (Max) | - |
| Número de Terminações | 2 |
| Taxa de falha | - |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MOX-3N-131005FE Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | MOX-3N-131005FE-FT |

OA181K
Ohmite

OA181KE
Ohmite

OA180K
Ohmite

OA180KE
Ohmite

OA153K
Ohmite

OA153KE
Ohmite

OA152K
Ohmite

OA152KE
Ohmite

OA151K
Ohmite

OA151KE
Ohmite

AT6005A-4AI
Microchip Technology

XCV200-4FG256I
Xilinx Inc.

XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.

M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation

M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation

EP4CE10F17C6
Intel

10AX032H2F34E2SG
Intel

5SGXMB9R2H43I3N
Intel

LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation

EP4SGX230FF35I4N
Intel