casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / MOX-2N-131007JE
Número da peça de fabricante | MOX-2N-131007JE |
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Número da peça futura | FT-MOX-2N-131007JE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Maxi-Mox |
MOX-2N-131007JE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 1 GOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 3W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 210°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.345" Dia x 2.140" L (8.76mm x 54.36mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-2N-131007JE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MOX-2N-131007JE-FT |
OA151KE
Ohmite
OA150KE
Ohmite
OA124KE
Ohmite
OA123K
Ohmite
OA123KE
Ohmite
OA122K
Ohmite
OA122KE
Ohmite
OA120K
Ohmite
OA121KE
Ohmite
OA120KE
Ohmite
LCMXO2-256HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600E-7FG900I
Xilinx Inc.
10AX022C3U19I2LG
Intel
5SGXEA3K3F35C2LN
Intel
AGL125V5-CSG196
Microsemi Corporation
EP3CLS150F780I7
Intel
EPF10K100ABC356-3N
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel