casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / MOX-2-12-1007F
Número da peça de fabricante | MOX-2-12-1007F |
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Número da peça futura | FT-MOX-2-12-1007F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Maxi-Mox |
MOX-2-12-1007F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Resistência | 1 GOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 5W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 210°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.310" Dia x 2.120" L (7.87mm x 53.85mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-2-12-1007F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MOX-2-12-1007F-FT |
OA123KE
Ohmite
OA122K
Ohmite
OA122KE
Ohmite
OA120K
Ohmite
OA121KE
Ohmite
OA120KE
Ohmite
OA105K
Ohmite
OA105KE
Ohmite
OA104K
Ohmite
OA104KE
Ohmite
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F45I2LN
Intel
5SGXEA4H2F35C2L
Intel
XC4VLX80-10FFG1148C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3CSG324E
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780I4L
Intel