casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / MOX-2-12-1006F
Número da peça de fabricante | MOX-2-12-1006F |
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Número da peça futura | FT-MOX-2-12-1006F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Maxi-Mox |
MOX-2-12-1006F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Resistência | 100 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 5W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 210°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.310" Dia x 2.120" L (7.87mm x 53.85mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-2-12-1006F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MOX-2-12-1006F-FT |
OA121KE
Ohmite
OA120KE
Ohmite
OA105K
Ohmite
OA105KE
Ohmite
OA104K
Ohmite
OA104KE
Ohmite
OA103K
Ohmite
OA103KE
Ohmite
OA102K
Ohmite
OA102KE
Ohmite
XC3S250E-4FTG256I
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K130EBC600-1
Intel
5SGXMA5K2F35C2N
Intel
XC5VLX110T-1FF1136C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45I2LG
Intel
5SGSMD4H2F35C2LN
Intel