casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / MOX-1N-131006FE
Número da peça de fabricante | MOX-1N-131006FE |
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Número da peça futura | FT-MOX-1N-131006FE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Maxi-Mox |
MOX-1N-131006FE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 100 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 2W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 210°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.345" Dia x 1.140" L (8.76mm x 28.96mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-1N-131006FE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MOX-1N-131006FE-FT |
OA102K
Ohmite
OA102KE
Ohmite
OA101K
Ohmite
OA101KE
Ohmite
OA100K
Ohmite
OA100KE
Ohmite
MOX97021004FVE
Ohmite
MOX97022505FTE
Ohmite
MOX97025004FVE
Ohmite
MOX97021005FVE
Ohmite
XC3S200A-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
AFS1500-FG256K
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-2X
Intel
5SGXMA3K3F35I4N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
Intel
EP1K50QC208-2N
Intel