casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / MOX-1N-131005FE
Número da peça de fabricante | MOX-1N-131005FE |
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Número da peça futura | FT-MOX-1N-131005FE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Maxi-Mox |
MOX-1N-131005FE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 10 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 2W |
Composição | Thick Film |
Características | High Voltage, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 210°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.345" Dia x 1.140" L (8.76mm x 28.96mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-1N-131005FE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MOX-1N-131005FE-FT |
OA104KE
Ohmite
OA103K
Ohmite
OA103KE
Ohmite
OA102K
Ohmite
OA102KE
Ohmite
OA101K
Ohmite
OA101KE
Ohmite
OA100K
Ohmite
OA100KE
Ohmite
MOX97021004FVE
Ohmite
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel