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ON Semiconductor MMSF3P02HDR2G

Name: MMSF3P02HDR2G
Brand: ON Semiconductor
SKU: MMSF3P02HDR2G
Price: 0.48664 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (429 reviews)

Número da peça MFG: MMSF3P02HDR2G

Quantidade disponível: 36750 Peças

Preço de referência: USD 0.48664

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: MMSF3P02HDR2G.pdf

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MMSF3P02HDR2G Especificações

Número da peça de fabricante	MMSF3P02HDR2G
Número da peça futura	FT-MMSF3P02HDR2G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
MMSF3P02HDR2G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	5.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	46nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 16V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SOIC
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MMSF3P02HDR2G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	MMSF3P02HDR2G-FT

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