casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / MMDT4401-7
Número da peça de fabricante | MMDT4401-7 |
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Número da peça futura | FT-MMDT4401-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMDT4401-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 1V |
Potência - Max | 200mW |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT4401-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMDT4401-7-FT |
ZDT619TC
Diodes Incorporated
ZDT649TA
Diodes Incorporated
ZDT649TC
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ZDT651TA
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ZDT651TC
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ZDT6702TA
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ZDT6702TC
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M2GL060-FCSG325I
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A3PE600-2FG484I
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M7A3P1000-FG484I
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5SGXMA4K3F40C4N
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10AX048E4F29E3LG
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XC7S25-1CSGA225I
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A40MX04-PQ100A
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LCMXO640C-3MN100I
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EP4SGX110HF35C4N
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