casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / MMDT4146-7-F
Número da peça de fabricante | MMDT4146-7-F |
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Número da peça futura | FT-MMDT4146-7-F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMDT4146-7-F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 25V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 1V |
Potência - Max | 200mW |
Freqüência - Transição | 300MHz, 250MHz |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT4146-7-F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMDT4146-7-F-FT |
BCV63B,215
Nexperia USA Inc.
BCV63,215
Nexperia USA Inc.
BCV64B,215
Nexperia USA Inc.
BCV62BE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCV62CE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV65,215
Nexperia USA Inc.
DST847BPDP6-7
Diodes Incorporated
DST857BDJ-7
Diodes Incorporated
DST3906DJ-7
Diodes Incorporated
DN0150ADJ-7
Diodes Incorporated
LCMXO1200E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S50E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A42MX24-FPQ208
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6JMG80I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5D4F27C5N
Intel
5SGXEA5H2F35I3LN
Intel
LCMXO640C-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-640E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F31I5
Intel