casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / MMDT4126-7-F
Número da peça de fabricante | MMDT4126-7-F |
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Número da peça futura | FT-MMDT4126-7-F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMDT4126-7-F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 25V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 1V |
Potência - Max | 200mW |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT4126-7-F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMDT4126-7-F-FT |
MMDT3904V-7
Diodes Incorporated
MMDT2907V-7
Diodes Incorporated
MMDT3906VC-7
Diodes Incorporated
MMDT2222V-7
Diodes Incorporated
BCM857BV-7
Diodes Incorporated
BC847BVC-7
Diodes Incorporated
BC847BVN-7
Diodes Incorporated
MMDT3904VC-7
Diodes Incorporated
MMDT3906V-7
Diodes Incorporated
ZDT6790TA
Diodes Incorporated
LCMXO640C-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-6FG256C
Xilinx Inc.
XC2S200-5PQG208I
Xilinx Inc.
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
EP2S30F672C5
Intel
EP20K300EFI672-2N
Intel
5SGXEA7N2F45C3N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation