casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / MMBZ5260B-G3-18
Número da peça de fabricante | MMBZ5260B-G3-18 |
---|---|
Número da peça futura | FT-MMBZ5260B-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ5260B-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 43V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 225mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 93 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 33V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ5260B-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBZ5260B-G3-18-FT |
MMBZ5251C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5251C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5252B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5252B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5252B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5252B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5252B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5252C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5252C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5252C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FF1156I
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation