casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / MMBZ5230B-G3-18
Número da peça de fabricante | MMBZ5230B-G3-18 |
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Número da peça futura | FT-MMBZ5230B-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ5230B-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 225mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 19 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 2V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ5230B-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBZ5230B-G3-18-FT |
MMBZ4711-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4712-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4712-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4712-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4712-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4712-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4712-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4713-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4713-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4713-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.