casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / MMBZ27VDA-G3-18
Número da peça de fabricante | MMBZ27VDA-G3-18 |
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Número da peça futura | FT-MMBZ27VDA-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ27VDA-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 27V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 225mW |
Impedância (Max) (Zzt) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 80nA @ 22V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ27VDA-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBZ27VDA-G3-18-FT |
DZ23C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1200E-4FGG400Q
Xilinx Inc.
XA2S150E-6FT256Q
Xilinx Inc.
XC2V80-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23C8N
Intel
EP1K30FC256-1
Intel
EP4CGX15BF14C8
Intel
LFXP2-40E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EBC356-1X
Intel