casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MMBTH10-4LT1G
Número da peça de fabricante | MMBTH10-4LT1G |
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Número da peça futura | FT-MMBTH10-4LT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMBTH10-4LT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 25V |
Freqüência - Transição | 800MHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | - |
Potência - Max | 225mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 4mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH10-4LT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBTH10-4LT1G-FT |
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B96
Renesas Electronics America Inc.
A54SX16A-1PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C8
Intel
10M40DAF484I6G
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5AGXBA1D4F27I5
Intel
5SGXMABK2H40C2N
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LFXP2-8E-5MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
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EP1SGX25FF1020C5
Intel