casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MMBT5401-G
Número da peça de fabricante | MMBT5401-G |
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Número da peça futura | FT-MMBT5401-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMBT5401-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 150V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Potência - Max | 300mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT5401-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBT5401-G-FT |
MMSTA42-7
Diodes Incorporated
MMSTA55-7
Diodes Incorporated
MMSTA56-7
Diodes Incorporated
MMSTA63-7
Diodes Incorporated
MMSTA64-7
Diodes Incorporated
MMSTA92-7
Diodes Incorporated
ZUMT2369ATA
Diodes Incorporated
ZUMT491TC
Diodes Incorporated
ZUMT591TC
Diodes Incorporated
ZUMT617TA
Diodes Incorporated
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel