casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MMBT4126-7-F
Número da peça de fabricante | MMBT4126-7-F |
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Número da peça futura | FT-MMBT4126-7-F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
MMBT4126-7-F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 25V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 1V |
Potência - Max | 300mW |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT4126-7-F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBT4126-7-F-FT |
FMMT560TA
Diodes Incorporated
FMMT722TA
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BC817-25-7-F
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BC847C-7-F
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Diodes Incorporated
EPF10K30ETI144-3
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LFXP3C-4TN100I
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XA7A75T-1FGG484Q
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EP1S20F672C7N
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EP2AGZ225HF40I4N
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EP2AGX65DF25I5
Intel
5SGSMD8N2F45C2N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8452ALC84-2
Intel