casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MMBT2907AWT1G
Número da peça de fabricante | MMBT2907AWT1G |
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Número da peça futura | FT-MMBT2907AWT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMBT2907AWT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potência - Max | 150mW |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-70-3 (SOT323) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT2907AWT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBT2907AWT1G-FT |
NST3904F3T5G
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NST847BF3T5G
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NST848BF3T5G
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NST856BF3T5G
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DSCQ00100L
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2SB1121T-TD-E
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XC6SLX100-3FG484I
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A3P1000-2PQG208
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5SGXEA5N2F45C2LN
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5SGXMABK3H40C2LN
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EP1AGX60EF1152I6N
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EP3SL200F1152I4N
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XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel