casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MMBT2907ALT3G
Número da peça de fabricante | MMBT2907ALT3G |
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Número da peça futura | FT-MMBT2907ALT3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMBT2907ALT3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potência - Max | 300mW |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT2907ALT3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBT2907ALT3G-FT |
2SC5658RM3T5G
ON Semiconductor
MMBT5551M3T5G
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LCMXO2-256ZE-1TG100C
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M7A3P1000-PQG208
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Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3LG
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